Neuer Artikel: Motivation für das metallische Sintern in der Leistungselektronik

In der Semiconductor Packaging News erschien heute unser neuer Artikel, der die Motivation des metallischen Sinterns für die Anbindung von Leistungshalbleitern und Modelen auf Kühlkörpern näher beleutet. Der Beitrag ist hier zu finden: Semiconductor Packaging News

Kurzzusammenfassung

In diesem Fachbeitrag werden die Beweggründe für das druckunterstützten metallischen Sintern
der Leistungselektronik diskutiert. Da die Nachfrage nach effizienteren und zuverlässigeren Leistungsmodulen steigt, erweist sich das Sintern als eine hochwertige Lösung, insbesondere für Siliziumkarbid-Anwendungen. Der Beitrag befasst sich mit den grundlegenden Prinzipien, Vorteilen und potenziellen Anwendungen des druckunterstützten metallischen Sinterns und warum es eine Schlüsseltechnologie ist, um das Potenzial von Sic-Bauelementen zu erschließen. Das Papier zielt darauf ab, ein umfassendes Verständnis für die praktischen Auswirkungen des druckunterstützten Metallsinterns im Kontext der der Leistungselektronik zu geben. Durch den Einsatz dieser innovativen Technik ebnen wir den Weg für robustere, effizientere und zuverlässigere Leistungselektronik.