Gallium-Nitrid (GaN)

Ist ein Halbleitermaterial mit großem Bandabstand (Wide-Band-Gap), welches überwiegend in der Optoelektronik und Leistungselektronik eingesetzt wird. GaN Bauelemente sind meist laterale Bauelemente. Das bedeutet, dass der Strom nicht vertikal durch das Bauelement fließt, sondern lateral. Für die Aufbau- und Verbindungstechnik bzw. das Schaltungsdesign hat dies entsprechende Konsequenzen, da die Bauelemente anders angeordnet und gefügt werden müssen.

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